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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3744
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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