RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
27
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
22.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
19.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
4251
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link