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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
21
读取速度,GB/s
13.8
22.4
写入速度,GB/s
8.4
19.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4251
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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