RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
27
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
21.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
21.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
4250
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link