RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3564
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link