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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2364
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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