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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
13.8
13.7
写入速度,GB/s
8.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2364
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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