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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2266
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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