RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
51
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2248
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link