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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

总分
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

总分
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

差异 规格 评论

差异

PNY Electronics PNY 2GB 需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 51
    左右 47% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 51
  • 读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 9.6
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2274 left arrow 2248

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