Comparação RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Pontuação geral

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 38

Por volta de 29% menor latência

Razões a considerar
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.5 13.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.9 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 10600

Por volta de 2.42 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2274 2829

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns