PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Punteggio complessivo
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 38
    Intorno 29% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.5 left arrow 13.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.9 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 10600
    Intorno 2.42 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 16.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 10.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2274 left arrow 2829
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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