PNY Electronics PNY 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Pontuação geral
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 6.5
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 27
    Por volta de -13% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 24
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.8 left arrow 13.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 6.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2274 left arrow 1983
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações