RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
5.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.0
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.7
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
3458
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link