RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3458
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link