RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
59
Por volta de -127% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2808
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link