RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
58
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3029
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link