Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 16.7
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 46
    Por volta de -48% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.6 left arrow 1,519.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 3200
    Por volta de 8 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,519.2 left arrow 14.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    241 left arrow 3509
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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