RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3509
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link