Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 16.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 46
    Intorno -48% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.6 left arrow 1,519.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 3200
    Intorno 8 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,519.2 left arrow 14.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    241 left arrow 3509
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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