RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.5
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3385
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link