RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
46
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
32
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3385
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Segnala un bug
×
Bug description
Source link