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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3061
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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