RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
2,909.8
18.5
写入速度,GB/s
1,519.2
13.7
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3061
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link