RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
46
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
18
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.2
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3536
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link