RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
46
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
18
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3536
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link