RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
46
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
19
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3397
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link