Comparação RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Pontuação geral

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 16.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,622.0 13.4

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 77

Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 5300

Por volta de 3.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

763 3257

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns