RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de -166% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3461
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link