RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3367
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link