RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de -166% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3784
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link