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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
77
Por volta de -120% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2731
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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