RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
77
Por volta de -126% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2516
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link