RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
77
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
41
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2501
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link