RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
77
Por volta de -267% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
17.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3954
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KF073F-ELF 2GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link