RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3954
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link