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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
19.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
77
Por volta de -285% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
19.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
4235
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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