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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
77
Por volta de -208% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3668
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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