RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3668
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Lenovo 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link