RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3899
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link