RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3899
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link