RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2062
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link