RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
77
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2545
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link