RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
77
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2629
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link