RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de -166% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2909
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link