RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
6.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2312
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link