RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
77
Por volta de -196% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2891
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link