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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
13.5
写入速度,GB/s
2,622.0
11.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2891
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
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