RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
77
Por volta de -221% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2761
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link