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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral
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Super Talent F21UB8GS 8GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 14
    Valor médio nos testes
Super Talent F21UB8GS 8GB Razões a considerar
Super Talent F21UB8GS 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    22 left arrow 77
    Por volta de -250% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.2 left arrow 2,622.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 22
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,405.2 left arrow 14.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,622.0 left arrow 7.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    763 left arrow 2200

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Super Talent F21UB8GS 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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